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穿透式電子顯微鏡觀察薄膜的顯微結構
以電漿輔助化學束磊晶法在氮化鎵（GaN）磊晶膜上成長氮化銦（lnN）磊晶薄膜。
透過穿透式電子顯微鏡觀察與分析在成長溫度為450℃、500℃與550℃時所得之InN磊晶薄膜的顯微結構。
在450℃下所成長之InN薄膜，表面粗糙且薄膜并非一個完美的磊晶薄膜。InN磊晶薄膜在500℃左右時具有最快的成長速率，
其薄膜最厚，缺陷密度更高，但薄膜表面相對較為平坦。成長溫度為550℃所得之InN磊晶薄膜已開始產生空孔，
表面平坦度比起500℃之InN磊晶薄膜要來得差。在晶體缺陷部分，InN磊晶薄膜中主要的面缺陷是位移向量為1/6〈2203〉的基面疊差，
線缺陷則是布格向量為b = 1/3 〈1120〉的差排。
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