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電子顯微鏡是以電子取代光波作為照明光源，以電磁透鏡替代玻璃透鏡來
偏折電子，所以必須在強大而穩(wěn)定的電壓與電流及極高的真空度下才能正常運
作。當(dāng)電子撞擊在標(biāo)本上，如果標(biāo)本很薄，電子可以未碰到任何障礙而直接穿
過標(biāo)本，即是穿透電子（Transmitted electron）；如果電子撞擊到標(biāo)本成份
原子的原子核，因為電子和原子核質(zhì)量相差太大，電子會反彈或偏折，反彈出
來的電子稱做背向散射電子（Backscattered electron），而偏折的電子稱做
散射電子（Scattered electron）；假如電子撞擊到標(biāo)本成份原子外圍環(huán)繞的
電子時，除電子本身發(fā)生偏折外，被撞擊的電子也可能因此而脫離原子，此種
電子稱作二次電子（Secondary electron）；當(dāng)電子被撞離其原來的電子軌域
時，其他能階的電子會補足過來，這種能階上的變化會釋出能量，隨著原子序
的不同，不同的能量放出不同特定波長的 X 射線。這些電子和 X 射線，就是各
種電子顯微鏡呈像的依據(jù)；穿透式電子顯微鏡（Transmitted Electron
Microscope, TEM ）是以穿透電子來呈像，而掃描式電子顯微鏡（Scanning
Electron Microscope, SEM ）則是利用二次電子或背像散射電子來呈像，因
不同原子序原子放出不同波長 X 射線，所以可利用其作為樣品成份元素分析
電子顯微鏡的構(gòu)造複雜，操作上較光學(xué)顯微鏡困難，因此必須具備熟練的
技巧以及清晰的校正能力；
由于觀察的目的在超微細構(gòu)造，而樣品處理的
好壞亦會影響觀察的清晰度。所以學(xué)習(xí)制作好的樣品、電子顯微鏡的熟練操作
技巧以及校正能力，甚至純熟的暗房操作技術(shù)
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