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FESEM掃描電子顯微鏡樣品制備的要求
場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FESEM）
樣品制備注意事項(xiàng)
1.本儀器拒絕接受高分子、生物試片、強(qiáng)磁性物質(zhì)以及含有毒性、腐蝕性、揮發(fā)性、低熔點(diǎn)等物質(zhì)之樣品。
2.粉體樣品需先經(jīng)表面處理，確定黏附牢固于基座上，再送至實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)。
3.樣品若含水氣，請(qǐng)先以120°C烘烤除氣后，再送至實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)。
4.若樣品具微弱磁性，請(qǐng)先告知操作員以判斷正確處理方式。
5.樣品大小限制：直徑< 100 mm，高度< 40 mm
實(shí)驗(yàn)所成長的薄膜具有ZnO［001］的優(yōu)先取向，射頻功率175 W制程有較佳的結(jié)晶性。然而在射頻功率
175 W制程退火后結(jié)晶性變差，≦150 W制程仍維持在一定的結(jié)晶品質(zhì)。使用氮?dú)馔嘶鹛幚碛兄?nbsp;
于緩和成長薄膜所造成的應(yīng)力，將有助于降低晶界與晶界之間的雜質(zhì)或缺陷存在。
ZnO：Sb薄 膜在氮?dú)庀峦嘶鹛幚恚l(fā)現(xiàn)近紫外光波長穿透率有明顯獲得改善。藉由吸收常數(shù)與入射光子能
量之關(guān)系式，估計(jì)能帶隙大約在3.37 eV。未退火處理前，成長的薄膜都呈現(xiàn)n型導(dǎo)電特性。然
而，ZnO：Sb薄膜在150 W制程400 ℃與500 ℃ 退火處理，ZnO：Sb薄膜由原本的n型轉(zhuǎn)變?yōu)閜型
導(dǎo)電特性，尤其以500 ℃退火之p型較為顯著。其載子濃度約為1018?1019 cm-3 ，載子遷移率為
0.1?2.3 cm2/V s，電阻率則為0.1?14.8 Ωcm
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