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掃描電流顯微鏡測量膜厚的方法
當元件尺寸變小的同時，為了提高元件驅動能力及減少短通道效應的情況發生，
閘極氧化層厚度勢必也要跟著變小，然而隨著氧化層厚度縮小，元件閘極漏電流將會以指數方式增加，
使得傳統上作為閘極絕緣層的二氧化矽(SiO2)，迅速達到其物理極限厚度。
因此，擁有較厚的物理厚度卻能相等于電性上極小的等效厚度(equivalent oxide thickness，EOT)
之高介電系數(high dielectric constant，High-k)
材料如二氧化鉿(HfO2)即成為近來替代二氧化矽的新寵兒，
故如何以簡單的方法預先檢驗高品質的高介電系數材料薄膜便成為現今的研究重點，
利用掃描電流顯微鏡的優異能力，建立一個能迅速判定閘極氧化層薄膜品質優劣的量測方法。
本文將先從基本架構與原理做介紹，
接著探討影響量測訊號穩定性的因素并加以控制，以建立更良好的量測技術基礎，
最后再以實例來闡述其應用面，期望所提供的資訊能讓產學界對掃描電流顯微鏡有更深一層的認識。
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