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光阻的厚度設(shè)為約1.2μm顯微鏡下觀察顯影結(jié)果
灰階微透鏡之制作流程
A. 清潔基板、去水烘烤：
B. 上光阻：經(jīng)由計(jì)算蝕刻的深度為 1.26μm ，且得到蝕刻光阻與
基板的蝕刻速率比為 1：1，所以必須要將光阻的厚度設(shè)為約1.2μm﹔
因此將光阻涂佈旋轉(zhuǎn)器的轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)定在 4000 轉(zhuǎn)，涂上正
光阻 AZ 1500，轉(zhuǎn)動時間為 30 秒，即可得到 1.2μm 的厚度。
C. 軟烤：將上完光阻的基板送入攝氏 1000C 的烤中，軟烤時間約
30 分鐘即可。
D. 曝光：以灰階光罩進(jìn)行曝光，曝光時間 45 秒。
E. 顯影、定影、觀察：我們使用顯影液為 AZ 300 MIF 來顯影
顯影時間須拿捏約為 1 分鐘，用去離子水做為定影液，然后基
板用氮?dú)鈽尨登?，再至顯微鏡下觀察顯影結(jié)果﹔如果顯影結(jié)果
并不理想，則應(yīng)把光阻洗掉，再重步驟 A 做起﹔若沒問題即可
繼續(xù)往下做。
F. 硬烤：將定影后的基板放入攝氏 1000C 的烤箱中，硬烤時間約
30 分鐘﹔不過也可以將之放入溫度較高的烤箱中，由于溫度
較高，則會使得光阻熔融而造成表面輪廓會較圓滑。
G. 蝕刻：使用活性離子蝕刻系統(tǒng)進(jìn)行蝕刻，其蝕刻深度為 1.26μm，
我們欲得到光阻蝕刻與基板的蝕刻速率比 1:1，但蝕刻比例會
隨蝕刻的功率、壓力及氣體流量不同而有所差異，蝕刻的時間
設(shè)定也需要參考上述的條件 。
蝕刻氣體：四氟化碳(CF4)
腔體壓力：50mtorr
蝕刻功率：125W
蝕刻時間：60 分鐘
用以上的蝕刻條件，則會得到將近 1：1 的蝕刻比以及我們欲得到的蝕刻深度。
H. 因蝕刻時間過長，造成基板表面霧化(應(yīng)為生成物堆積)，且容
易使基板表面粗糙度增大，因此我們有利用 BOE 溶液蝕刻石英
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