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量測的表面粗糙度-非接觸式量測，且透過反複的量測
PIN結構成像
當高品質附生層(epitaxial layer)成長于生產品質基板(production-quality substrate)上時，在與沉積平臺比較(underlying platform)相比較之表面特性，發現高品質附生層其成長過程僅能允許些微的變化。舉例來說，總厚度5mm的InP/InGaAs/InP PIN(P-type-Intrinsic-N-type)結構的表面粗糙度須非常接近其基板的粗糙度等級(圖三a)。粗糙度較好的表面可藉由維持穩定的生長條件來形成，而成長條件則必須被要求且小心地在有限的選擇范圍內調整。然而，若磊晶條件有任何異常變動或選用次等的基板，都可能降低表面品質及增加表面粗糙度(圖三b)。
白光干涉儀也可以詳細地揭露具高應變材料的表面結構。舉例來說，將InGaAs PIN結構成長在InP基板上，透過白光干涉儀即可發現松散且晶格不匹配的長波長(2.2mm)正交特征(orthogonal feature)。
直接量化來比較AFM及白光干涉術所量測的表面粗糙度優劣是困難的。兩個技術皆有自己的優缺點，且根據所量測不同尺寸的橫向面積，兩項技術皆能表現屬于該技術上更好的量測結果。舉例來說，本文所提及的白光干涉量測法已經可以量測超過280 x 280mm面積，而標準的AFM量測法所量測的更大面積為50 x 50mm，相較之下，兩者可量測面積約差30倍。另外，兩種方法皆有不同的橫向解析度、數據分析技術及濾光技術(filtering technique)，真要嚴格比較就顯的非常複雜。
儘管兩種量測技術皆有一些缺點，但我們發現使用同調相關干涉(coherence correlation interferometry, CCI)技術的白光干涉量測法與AFM量測法來排列半導體樣品的等級時，兩種量測法在0.1 nm-1.5 nm區間的粗糙度有非常吻合的一致性(圖四)。因為CCI量測法不同于AFM量測法，是屬于完全非接觸式量測，且透過反複的量測也可以驗證其量測再現性。這些量測法隨著時間的見證，已經變的非常可靠，目前擁有產品化價值(production-worthy)技術的產品需有0.15 nm的平均粗糙度，且其誤差僅能在?.01 nm內。
這個穩定的結果將使白光干涉儀相當適合無塵室生產環境，且相較于同為高解析的AFM而言，白光干涉量測法更能符合較快速及非接觸式的目的。
客服1