豐臺FESEM掃描電子顯微鏡樣品制備的要求

作者：發布時間：2022-07-02 20:51:54點擊：1696

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FESEM掃描電子顯微鏡樣品制備的要求

場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）

樣品制備注意事項

1.本儀器拒絕接受高分子、生物試片、強磁性物質以及含有毒性、腐蝕性、揮發性、低熔點等物質之樣品。

2.粉體樣品需先經表面處理，確定黏附牢固于基座上，再送至實驗室檢測。

3.樣品若含水氣，請先以120°C烘烤除氣后，再送至實驗室檢測。

4.若樣品具微弱磁性，請先告知操作員以判斷正確處理方式。

5.樣品大小限制：直徑< 100 mm，高度< 40 mm

實驗所成長的薄膜具有ZnO［001］的優先取向，射頻功率175 W制程有較佳的結晶性。然而在射頻功率

175 W制程退火后結晶性變差，≦150 W制程仍維持在一定的結晶品質。使用氮氣退火處理有助

于緩和成長薄膜所造成的應力，將有助于降低晶界與晶界之間的雜質或缺陷存在。

ZnO：Sb薄膜在氮氣下退火處理，發現近紫外光波長穿透率有明顯獲得改善。藉由吸收常數與入射光子能

量之關系式，估計能帶隙大約在3.37 eV。未退火處理前，成長的薄膜都呈現n型導電特性。然

而，ZnO：Sb薄膜在150 W制程400 ℃與500 ℃ 退火處理，ZnO：Sb薄膜由原本的n型轉變為p型

導電特性，尤其以500 ℃退火之p型較為顯著。其載子濃度約為1018?1019 cm-3 ，載子遷移率為

0.1?2.3 cm2/V s，電阻率則為0.1?14.8 Ωcm

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