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一般常見的 TEM 加速電壓約為 100-200keV)
HVEM(High-Voltage Electron Microscopy，它亦是 TEM 的一種，其加速電壓可
達到 1.0MeV，而一般常見的 TEM 加速電壓約為 100-200keV)來進行 PU
的形態觀察，因為加速電壓越高，越可減輕輻射損傷的影響。而本實
驗所使用的 TEM 加速電壓僅達 160keV，故須特別注意輻射傷害的影
響，以免被誤導，所以為了避免輻射傷害的影響，不可在一定點停留
太久，且須要多取幾個地方，以比較是否已有輻射傷害的發生，以下
所有 PU 的 TEM 圖都是經由這樣小心比較取得的
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