石景山光學(xué)元件微結(jié)構(gòu)測量用工具顯微鏡廠商

作者：發(fā)布時(shí)間：2022-07-02 20:58:27點(diǎn)擊：1995

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光學(xué)元件微結(jié)構(gòu)測量用工具顯微鏡廠商

精微制造技術(shù)已廣泛使用于消費(fèi)型電子產(chǎn)品的光學(xué)元件中，其中V形長溝(V-groove)是常見的微結(jié)構(gòu)，

如液晶平面顯示器的導(dǎo)光板、光學(xué)膜片等。隨著產(chǎn)品輕薄短小的趨勢與性能的要求，V形微結(jié)構(gòu)的尺寸越來越小，
甚至達(dá)到數(shù)微米到數(shù)十微米。如何快速且低成本的量測V

形特征的成形品質(zhì)，一直是背光模組制造業(yè)者急欲解決的問題。

常用的量測儀器量測儀器可分為接觸及非接觸式，接觸式量測儀器如表面輪廓儀

(Surface profilometer)，非接觸式量測儀器有光學(xué)顯微鏡 (Optical microscope)、共軛焦3D光學(xué)

表面形貌量測儀 (3D Confocal microscope)、原子力顯微鏡 (Atomic force microscope, AFM)、

掃瞄電子顯微鏡 (Scanning electron microscope, 電子掃瞄顯微鏡)等。電子掃瞄顯微鏡可獲得導(dǎo)光板的三維形貌及平面尺寸，

但在量測深度幾何形狀時(shí)必須破壞微結(jié)構(gòu)，來拍攝斷面輪廓，不適于導(dǎo)光板模仁的量測。

而對于不導(dǎo)電的試片如導(dǎo)光板需先電鍍導(dǎo)電層，量測成本高。AFM可量測高深寬比的陣列式微結(jié)構(gòu)，

配合Optical diffraction microscopy (ODM)量測光的折射強(qiáng)度，可以反函數(shù)的規(guī)則重建出微結(jié)構(gòu)表面形貌。

但AFM適合奈米級的量測，垂直量測范圍通常限于1μm左右，且造價(jià)較高，對于導(dǎo)光板微米級的V溝特征量測并不適合。

激光共軛焦掃瞄顯微鏡的垂直解析度可至20 nm，但在量測透光率較高的物件，會受表面粗糙度影響或有無法成像的現(xiàn)象，

對于角度較大的斜面也會有量測上的問題。

可掃描深度約90 μm的V型溝槽，但為了降低量測誤差，鏡頭尺寸必須大于物件尺寸，因此所量測的物件尺寸便有限制

以三種不同的光學(xué)位移感測器量測深度約15 μm的V溝斷面輪廓，但會受到表面反射所影響，對于V型溝槽而言，反射會使掃描的資料數(shù)據(jù)遺失，

尤其在V溝的，且物件表面性質(zhì)可能造成光的擴(kuò)散而影響量測結(jié)果

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