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掃描電流顯微鏡測(cè)量膜厚的方法
當(dāng)元件尺寸變小的同時(shí)，為了提高元件驅(qū)動(dòng)能力及減少短通道效應(yīng)的情況發(fā)生，
閘極氧化層厚度勢(shì)必也要跟著變小，然而隨著氧化層厚度縮小，元件閘極漏電流將會(huì)以指數(shù)方式增加，
使得傳統(tǒng)上作為閘極絕緣層的二氧化矽(SiO2)，迅速達(dá)到其物理極限厚度。
因此，擁有較厚的物理厚度卻能相等于電性上極小的等效厚度(equivalent oxide thickness，EOT)
之高介電系數(shù)(high dielectric constant，High-k)
材料如二氧化鉿(HfO2)即成為近來(lái)替代二氧化矽的新寵兒，
故如何以簡(jiǎn)單的方法預(yù)先檢驗(yàn)高品質(zhì)的高介電系數(shù)材料薄膜便成為現(xiàn)今的研究重點(diǎn)，
利用掃描電流顯微鏡的優(yōu)異能力，建立一個(gè)能迅速判定閘極氧化層薄膜品質(zhì)優(yōu)劣的量測(cè)方法。
本文將先從基本架構(gòu)與原理做介紹，
接著探討影響量測(cè)訊號(hào)穩(wěn)定性的因素并加以控制，以建立更良好的量測(cè)技術(shù)基礎(chǔ)，
最后再以實(shí)例來(lái)闡述其應(yīng)用面，期望所提供的資訊能讓產(chǎn)學(xué)界對(duì)掃描電流顯微鏡有更深一層的認(rèn)識(shí)。
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