東城動態光學顯微分析儀器觀察金屬試樣

作者：發布時間：2022-07-02 20:50:09點擊：1657

信息摘要：

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動態光學顯微分析儀器觀察金屬試樣

探討的子劈技術中，系旨于研究以階段同順序的氫與氦子布植取代單階段的氫子布植，

所造成矽（100）試樣表面的發泡與發泡破

現象以及試樣內部缺陷的演化情形，并與只有單一階段氫子布植的結果進

交互比較。所使用的特性測分析儀器包括：

動態光學顯微分析儀器、曼光譜儀、二次子質譜儀、以及穿透式電子顯微鏡。

結果顯示：同順序的階段子布植造成一樣的缺陷分布情形，也使得在使用特性測儀器所觀察到的現象

大相同。加入氦子布植的試樣在經退火后，其試樣內部出現有明顯的長條

縫，此一縫的生成是為絕緣體上矽薄膜能否成功轉移的重要關鍵，是以添加氦

子的階段子布植可以較單階段氫子布值提高制作絕緣體上矽的成功

機。本文所使用的階段氫與氦子布值試樣經由適當的晶圓接合以及退火

制程皆可得到絕緣體上矽結構，其中，氦先布值（即He＋H）者其薄膜轉移的

面積高于氦后布值（即H＋He）者，絕緣體上矽薄膜的表面粗糙亦是前者優

于后者?？偨Y而言，前者為較佳的制程

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