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顯微鏡數碼相機使用的CCD或CMOS影像感測器原理！
半導體的發光效率
不同種類的半導體材料具有不同的發光效率，因此會有不同的應用，例如：矽的發光效率很低，只能用來制作積體電路(IC)；砷化鎵的發光效率很高，可以用來制作高亮度的發光二極體(LED)，為什么同樣是半導體，同樣具有能隙，發光效率卻有那么大的差別呢？
直接能隙(Direct bandgap)
“直接能隙(Direct bandgap)”是指電子吸收了外加能量以后可以由價電帶跳躍到導電帶，而且電子可以“直接”由導電帶落回價電帶，因此能量可以完全以“光能”的型式釋放出來，所以發光效率很高，例如：砷化鎵(GaAs)的能帶結構就是屬于直接能隙。
間接能隙(Indirect bandgap)
“間接能隙(Indirect bandgap)”是指電子吸收了外加能量以后可以由價電帶跳躍到導電帶，但是電子只能“間接”由導電帶落回價電帶，所謂的“間接”可以想像成在能隙中有一個可以讓電子停留的位置，當電子由導電帶落回價電帶時，會先在這個位置上停留一下，將大部分的能量轉換為“熱能”以后，再落回價電帶，由于大部分的能量已經轉換成熱能，根據能量守恒定律，這個電子所剩下的光能就很少了，因此最后能夠釋放出來的光能很少，所以發光效率很低，例如：矽(Si)的能帶結構就是屬于間接能隙。
值得注意的是，不論是直接能隙的半導體(砷化鎵晶圓)或間接能隙的半導體(矽晶圓)，電子吸收了外加能量以后由價電帶跳躍到導電帶的情形是相同的，因此這兩種半導體都可以用來制作“影像感測器(Sensor)”，例如：顯微鏡數碼相機所使用的CCD或CMOS影像感測器，都是利用矽晶圓來做為“光偵測器(PD：Photo Detector
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