豐臺(tái)動(dòng)態(tài)光學(xué)顯微分析儀器觀察金屬試樣

作者：發(fā)布時(shí)間：2022-07-02 20:50:09點(diǎn)擊：1658

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動(dòng)態(tài)光學(xué)顯微分析儀器觀察金屬試樣

探討的子劈技術(shù)中，系旨于研究以階段同順序的氫與氦子布植取代單階段的氫子布植，

所造成矽（100）試樣表面的發(fā)泡與發(fā)泡破

現(xiàn)象以及試樣內(nèi)部缺陷的演化情形，并與只有單一階段氫子布植的結(jié)果進(jìn)

交互比較。所使用的特性測(cè)分析儀器包括：

動(dòng)態(tài)光學(xué)顯微分析儀器、曼光譜儀、二次子質(zhì)譜儀、以及穿透式電子顯微鏡。

結(jié)果顯示：同順序的階段子布植造成一樣的缺陷分布情形，也使得在使用特性測(cè)儀器所觀察到的現(xiàn)象

大相同。加入氦子布植的試樣在經(jīng)退火后，其試樣內(nèi)部出現(xiàn)有明顯的長(zhǎng)條

縫，此一縫的生成是為絕緣體上矽薄膜能否成功轉(zhuǎn)移的重要關(guān)鍵，是以添加氦

子的階段子布植可以較單階段氫子布值提高制作絕緣體上矽的成功

機(jī)。本文所使用的階段氫與氦子布值試樣經(jīng)由適當(dāng)?shù)木A接合以及退火

制程皆可得到絕緣體上矽結(jié)構(gòu)，其中，氦先布值（即He＋H）者其薄膜轉(zhuǎn)移的

面積高于氦后布值（即H＋He）者，絕緣體上矽薄膜的表面粗糙亦是前者優(yōu)

于后者。總結(jié)而言，前者為較佳的制程

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